Без бренда

Корпус: 0402 Точность: 1 % Мощность: 0,063 Вт Макс.рабочее напряжение: 50 В Рабочая температура,С: -55…155 Длина корпуса L: 1 мм

Корпус: 0402 Точность: 1 % Мощность: 0,063 Вт Макс.рабочее напряжение: 50 В Рабочая температура,С: -55…155 Длина корпуса L: 1 мм

Корпус: 0402 Точность: 1 % Мощность: 0,063 Вт Макс.рабочее напряжение: 50 В Рабочая температура,С: -55…155 Длина корпуса L: 1 мм

Корпус: 0402 Точность: 5 % Мощность: 0,063 Вт Макс.рабочее напряжение: 50 В Рабочая температура,С: -55…155 Длина корпуса L: 1 мм

Корпус: 0402 Точность: 1 % Мощность: 0,063 Вт Макс.рабочее напряжение: 50 В Рабочая температура,С: -55…155 Длина корпуса L: 1 мм

Корпус: 0402 Точность: 5 % Мощность: 0,063 Вт Макс.рабочее напряжение: 50 В Рабочая температура,С: -55…155 Длина корпуса L: 1 мм

Корпус: 0402 Точность: 1 % Мощность: 0,063 Вт Макс.рабочее напряжение: 50 В Рабочая температура,С: -55…155 Длина корпуса L: 1 мм

Тип: окук.имп. Рабочее напряжение: 35 В Допуск номинальной емкости: 10 % Рабочая температура,С: -55…85 Ток утечки макс.: 0,5 мкА Выводы/корпус: радиал.пров.

Резонансная частота: 12 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 30 Температурный коэффициент: 30 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49u

Резонансная частота: 12 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49s

Резонансная частота: 12 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 16 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49sm

Резонансная частота: 16 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 16 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49s

Резонансная частота: 16 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49sm

Мощность рассеяния: 1 Вт Минимальное напряжение стабилизации: 7,125 В Номинальное напряжение стабилизации: 7,5 В Максимальное напряжение стабилизации: 7,875 В Статическое сопротивление Rст.: 4 Ом при токе I ст: 0,5 мА

Резонансная частота: 20 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 16 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49s

Резонансная частота: 20 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49sm

Резонансная частота: 2 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 30 Температурный коэффициент: 30 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49u

Резонансная частота: 4 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 16 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49s

Резонансная частота: 4 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 30 Температурный коэффициент: 30 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 16 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49u

Резонансная частота: 6 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49s

Резонансная частота: 7,3728 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49s

Резонансная частота: 8 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49s

Резонансная частота: 8 МГц Точность настройки dF/Fх10-6: 50 Температурный коэффициент: 50 Ктх10-6 Нагрузочная емкость: 20 пФ Рабочая температура,С: -20…70 Корпус: hc-49sm

Микроконтроллер: atmega2560 FLASH память: 256 КБ SRAM память: 8 КБ Цифровые входы/ выходы: 54(15 с шим) Аналоговые входы: 16 EEPROM память: 4 КБ