Транзистор, N+ P-канал, 40В, 15/-12А, 28/42мОм [TO-252-4L]
Қоймада: 84 дана
AGM210MAP
Транзистор, N/P-MOSFET, 20В, 25А, 35/30.8Вт, 0.01/0.013Ом [PDFN-8_3.3x3.3.]
- Өндіруші
- AGM-Semi
- Санат
- Өрістік (MOSFET)
Бағасы
126 ₸
Қоймада: 21 дана
Жеткізу және төлем
- Өзі алып кету — тегінШымкент қ., қойма · Дс – Жм 9:00 – 18:00 · 1 жұмыс күні, дайындық туралы хат
- Жеткізу — Сапар тарифпен — тауарды алғанда курьергеШымкент бойынша Yandex Go курьерімен · Төлем күні немесе келесі жұмыс күні
- Онлайн төлемТапсырыс рәсімдегенде картамен, тауар бірден брондалады
Партия керек пе? Көтерме (B2B) немесе BOM сұранысы
Сипаттамалары
- Структура
- MOSFET
- Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
- 0.21
- Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
- ±20В
- Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
- 35
- Пороговое напряжение на затворе
- 1.6V@250uA
Осы санаттан
Барлығын көру
Транзистор N-MOSFET 60В 0.34А 0.15Вт 0.9Ом [SOT-23-3.] (2N7002K-T1-GE3)
Қоймада: 120 дана
Транзистор, N-MOSFET, 30В, 13/30А, 2.3/31Вт, 0.008Ом [DFN-8_5x6.] (9001142061)
Қоймада: 63 дана
Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А [SOT-23-6]
Қоймада: 92 дана
Транзистор N-MOSFET 100В 0.17А [SOT-23-3.]
Қоймада: 106 дана
Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [SC-65 / 2-16C1B.]
Қоймада: 14 данаСіз қараған тауарлар
50В, 105°C, 20%, 5x11мм P:2мм, JRB1HR47M02000500110000B (К50-35 имп.), Конденсатор электролитический алюминиевый
Қоймада: 73 дана
Транзистор N-MOSFET 30В 5.8А 1.4Вт 0.028Ом [SOT-23-3.]
Қоймада: 99 дана
Лазерный датчик обнаружения объектов для Arduino проектов
Қоймада: 99 дана
Модуль датчика измерения скорости движения 2WD, сенсорный
Қоймада: 104 дана