Оптопара транзисторная [DIP-4]
Қоймада: 9 дана
FOD817B
Оптопара с транзисторным выходом, 1-канал, 70В, 0.05А, 5кВ, 130…260% [DIP-4.] (=PC817B)
- Өндіруші
- ON Semiconductor***
- Санат
- Транзисторлық шығысы бар
Жеткізу және төлем
- Өзі алып кету — тегінШымкент қ., қойма · Дс – Жм 9:00 – 18:00 · 1 жұмыс күні, дайындық туралы хат
- Жеткізу — Сапар тарифпен — тауарды алғанда курьергеШымкент бойынша Yandex Go курьерімен · Төлем күні немесе келесі жұмыс күні
- Онлайн төлемТапсырыс рәсімдегенде картамен, тауар бірден брондалады
Партия керек пе? Көтерме (B2B) немесе BOM сұранысы
Сипаттамалары
- Кол-во каналов
- 1
- Напряжение изоляции (RMS)
- 5000 В
- Тип входа
- DC
- Тип выхода
- Транзистор
- Напряжение выхода
- 70 В
- Рабочая температура, °C
- -55…+110
- Корпус
- DIP-4
- Коэффициент передачи по току (Min)
- 130 %
- Выходной ток на канал
- 50 мА
- Коэффициент передачи по току (Max)
- 260 %
Сипаттама
Оптопара транзисторная FOD817B от производителя ONSEMI обладает высокими показателями CTR@If в диапазоне 130-260% при 5mA. Это одноканальное устройство с транзисторным выходом, способное выдерживать выходное напряжение до 70В. Время включения и выключения составляет всего 4 мкс, что делает FOD817B идеальным выбором для быстродействующих систем. Напряжение изоляции достигает 5 кВ, обеспечивая надежное разделение электрических цепей. Корпус DIP4 и монтаж THT делают его удобным для применения в различных областях применения, включая связь и автоматизацию. Модель FOD817B представляет собой надежное решение для систем, требующих высококачественной изоляции сигналов.
Осы санаттан
Барлығын көруОптопара TRANS-OUT 2CH, [SOIC-8]
Қоймада: 58 данаОптопара с транзисторным выходом, 1-канал, 70В, 0.05А, 5кВ, 20…300% [DIP-4.] (=PC814)
Қоймада: 87 данаОптоизолятор 5кВ, оптопара транзисторная [DIP-4]
Қоймада: 80 данаОптопара с транзисторным выходом, 1-канал, 5кВ, 30мА, 35В, 130…260% [DIP-4.]
Қоймада: 37 данаОптопара с транзисторным выходом (с базой), 1-канал, 70В, 0.05А, 5кВ, 20%(min) [DIP-6.]
Қоймада: 52 данаСіз қараған тауарлар
Транзистор N-MOSFET 100В 0.17А [SOT-23-3.]
Қоймада: 106 данаОптопара с транзисторным выходом (с базой), 1-канал, 70В, 0.05А, 5кВ, 20%(min) [DIP-6.]
Қоймада: 52 данаТранзистор N-MOSFET 30В 5.8А 1.4Вт 0.028Ом [SOT-23-3.]
Қоймада: 99 данаОптопара с транзисторным выходом, 1-канал, 70В, 0.05А, 5кВ, 20…300% [DIP-4.] (=PC814)
Қоймада: 87 дана