Полевые (MOSFET)

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0,15 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 60 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10В, 2 Ом/0.5А

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0,35 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 60 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10В, 2 Ом/0.5А

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±30 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 900 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/4А, 10В

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0,83 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 20 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 22 мОм/5А, 4.5В

Структура: MOSFET Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.21 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Пороговое напряжение на затворе: 1.6V@250uA

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1,4 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10В, 27 мОм/5.8А

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1,4 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0265 Ом/5.7А, 10В

Структура: P-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1,4 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/4.3А, 10В

Структура: P-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±25 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3,1 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/12А, 20В

Структура: N-Channel, P-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В, 10В/0.028 Ом/6.5А

Структура: MOSFET Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 12,5 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Пороговое напряжение на затворе: 2.2V@250uA

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 31 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/20А, 10В

Структура: N-Channel, P-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15/12 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±16 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 10,4 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 40 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/15А, 10В, 10В/0.042 Ом/12А

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 320 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 40 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0016 Ом/160А, 10В

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 55 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0,83 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 60 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10В, 5 Ом/0.2А

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0,36 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 100 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10 Ом/0.17А, 4.5В

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±30 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0,35 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 60 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10В, 5 Ом/0.5А

Структура: MOSFET Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±12В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1,4 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05Ом

Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 54 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 7,4 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0017 Ом/20А, 10В