Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]
Қоймада: 7 дана
BS170
Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92]
- Өндіруші
- ON Semiconductor***
- Санат
- Өрістік (MOSFET)
Жеткізу және төлем
- Өзі алып кету — тегінШымкент қ., қойма · Дс – Жм 9:00 – 18:00 · 1 жұмыс күні, дайындық туралы хат
- Жеткізу — Сапар тарифпен — тауарды алғанда курьергеШымкент бойынша Yandex Go курьерімен · Төлем күні немесе келесі жұмыс күні
- Онлайн төлемТапсырыс рәсімдегенде картамен, тауар бірден брондалады
Партия керек пе? Көтерме (B2B) немесе BOM сұранысы
Сипаттамалары
- Структура
- N-Channel
- Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
- 0.5
- Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
- ±20
- Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
- 0,83
- Максимальное напряжение сток-исток Uси
- 60 В
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
- 10В, 5 Ом/0.2А
- Корпус
- TO-92
- Пороговое напряжение на затворе
- 3
- Крутизна характеристики, S
- 0.32
Сипаттама
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, Idm: 1,2А, 0,83Вт, TO92
Осы санаттан
Барлығын көруТранзистор P-MOSFET 30В 4А [SOT-23-3.]
Қоймада: 42 данаТранзистор N-MOSFET 30В 5.8А 1.4Вт 0.028Ом [SOT-23-3.]
Қоймада: 99 данаТранзистор, N/P-MOSFET, 20В, 25А, 35/30.8Вт, 0.01/0.013Ом [PDFN-8_3.3x3.3.]
Қоймада: 21 данаТранзистор N-MOSFET 100В 0.17А [SOT-23-3.]
Қоймада: 106 данаСіз қараған тауарлар
Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А [SOT-23-6]
Қоймада: 92 данаЭлектронный модуль
Қоймада: 118 данаОптопара транзисторная [DIP-4]
Тапсырыспен32.7680кГц, smd 3.2x1.5x0.8мм, 7 пФ, NX3215SA-32.7680K- 20ppm-70KOhm-7pF, Кварцевый резонатор
Қоймада: 46 дана35В, типА 10-20%, Конденсатор танталовый выводной
Қоймада: 72 дана100В, 105°C, 20%, 5x11мм P:2мм, JRB2A010M02000500110000B (К50-35 имп.), Конденсатор электролитический алюминиевый
Қоймада: 44 данаДиод Шоттки 100В 100мА [DO-35.]
ТапсырыспенТранзистор, N/P-MOSFET, 20В, 25А, 35/30.8Вт, 0.01/0.013Ом [PDFN-8_3.3x3.3.]
Қоймада: 21 дана50В, 105°C, 20%, 5x11мм P:2мм, JRB1HR47M02000500110000B (К50-35 имп.), Конденсатор электролитический алюминиевый
Қоймада: 73 данаТранзистор N-MOSFET 30В 5.8А 1.4Вт 0.028Ом [SOT-23-3.]
Қоймада: 99 данаЛазерный датчик обнаружения объектов для Arduino проектов
Қоймада: 99 данаМодуль датчика измерения скорости движения 2WD, сенсорный
Қоймада: 104 дана